鍺襯底晶片
鍺單晶片是重要的半導體襯底材料，有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。主要用于地面聚光光伏電站(CPV)、空間太陽能電池板以及超高亮度的LED襯底材料。
鑫科匯可提供低位錯或零位錯錯襯底，規格包括2英寸、3英寸、4英寸和6英寸。亦可根據客戶需求，定制非標厚度和晶向的Ge襯底。
| 單位 半導體型 規格 | |||||
| 導電類型 | n型 | p型 | |||
| 晶體生長方式 | CZ/VGF | ||||
| 摻雜 | Sb | Ga | |||
| 尺寸 | inch | 2", 3", 4" and 6" | 2", 3",4" and 6" | ||
| 晶向* | （100）±0.5° | (100)±0.5° | |||
| OF/IF | US, EJ US.EJ | ||||
| 電阻率（室溫） | ohm.cm | 0.002-40 0.002-0.005 | |||
| 位錯密度(EPD) | /cm2 | - ≤300 | |||
| 激光打標 | 按客戶要求定制 | ||||
| 成品厚度* | um | （175-500）±25 | |||
| TTV平整度 | μm | ≤15 | ≤15 | ||
| 翹曲度 | um | ≤25 ≤25 | |||
| 主面/背面 | Sidel | 拋光 | 拋光 | ||
| Side2 | 腐蝕/Grinding | 腐蝕/Grinding | |||
| 開盒即用 | 是 | ||||
| 包裝 | 單片盒或多片盒 | ||||
售前咨詢專員
